R6003KND3
600V 3A TO-252, 高速スイッチング仕様 パワーMOSFET

R6003KND3は低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチングなどの用途に最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | R6003KND3TL1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-252
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-252 (DPAK)

パッケージサイズ [mm]

6.6x10.0 (t=2.3)

JEITAパッケージ

SC-63

推奨セット

Power Supply

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

600

ドレイン電流 (直流) ID [A]

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

1.3

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

1.3

ゲート総電荷量 Qg [nC]

8.0

許容損失 PD [W]

44.0

駆動電圧 [V]

10.0

Trr (Typ.)[ns]

240

実装方式

Surface mount

Bare Die/Wafer 品番

Available: K8016

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • 並列使用が容易
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
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デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
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  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
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熱設計

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  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
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モデルとツール

デザインモデル

  • R6003KND3 SPICE Model
  • PSpiceモデルのシンボル作成方法

特性データ

  • R6003KND3 ESD Data

パッケージと品質データ

パッケージ情報

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環境データ

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輸出関連情報

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