600V 3A TO-252, 高速スイッチング仕様 パワーMOSFET - R6003KND3
R6003KND3は低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチングなどの用途に最適です。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-252 (DPAK)
JEITAパッケージ
SC-63
パッケージサイズ[mm]
6.6x10.0 (t=2.3)
推奨セット
Power Supply
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
600
ドレイン電流 (直流) ID [A]
3.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
1.3
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
1.3
ゲート総電荷量 Qg [nC]
8.0
許容損失 PD [W]
44.0
駆動電圧 [V]
10.0
Trr (Typ.)[ns]
240
実装方式
Surface mount
Bare Die/Wafer 品番
Available: K8016
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 並列使用が容易
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠