UM6K31NFHA
2.5V駆動タイプ Nch+Nch MOSFET (AEC-Q101準拠)

電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

主な仕様

 
形名 | UM6K31NFHATCN
供給状況 | 推奨品
パッケージ | UMT6
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Automotive

標準規格

AEC-Q101 (Automotive Grade)

パッケージコード

SOT-363

JEITAパッケージ

SC-88

パッケージサイズ[mm]

2.0x2.1 (t=0.9)

端子数

6

極性

Nch+Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

60

ドレイン電流 (直流) ID [A]

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

2.3

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

2.1

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

3.0

許容損失 PD [W]

0.15

駆動電圧 [V]

2.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

・2.5V駆動タイプ
・Nch+Nch 小信号MOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルとは(トランジスタ)
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • UM6K31NFHA SPICE Model
  • UM6K31NFHA Thermal Model (lib)
  • PSpiceモデルのシンボル作成方法

2D/3D/CAD

  • UMT6 STEP Data

特性データ

  • 静電気耐圧データ

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 包装仕様
  • 標印仕様説明
  • はんだ付け条件
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

環境データ

  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について