BR25H040F-2LB(H2)
4KBit, SPI BUS, シリアルEEPROM（125℃動作）
新規設計非推奨
BR25H040F-2LB(H2)
4KBit, SPI BUS, シリアルEEPROM（125℃動作）
既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。
主な仕様
特性:
Series
BR25H-2LB
Density [bit]
4K
Bit Format [Word x Bit]
512 x 8
Vcc(Min.)[V]
2.5
Vcc(Max.)[V]
5.5
Circuit Current (Max.)[mA]
4
Standby Current (Max.)[μA]
10
Write Cycle (Max.)[ms]
4
Input Frequency (Max.)[Hz]
10M
Endurance (Max.)[Cycle]
106
Data Retention (Max.)[Year]
40
I/F
SPI BUS
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
5.0x6.2 (t=1.71)
特長:
・産業機器に適した長期の供給保証・ 最高速 10MHz(Max.)のクロック動作
・ HOLDB 端子によるウェイト機能
・ プログラムによってメモリアレイの一部～全部を書き 換え禁止(ROM)領域に設定可能
・ 2.5V～5.5V 単一動作でバッテリーユースにも最適
・ 工場出荷時の初期値書き込みに有利なページライト モード
・ SPI バスインタフェース(CPOL,CPHA)=(0,0)、(1,1)に 対応
・ データ書き換え時の自動消去、自動終了機能
・ 低消費電流 ライト動作時(5V 時) : 1.0mA (Typ.) リード動作時(5V 時) : 1.0mA (Typ.) 待機時(5V 時) : 0.1μA (Typ.)
・ 読み出し動作時のアドレスオートインクリメント機能
・ 誤書き込み防止機能 電源投入時の書き込み禁止 命令コード(WRDI)による書き込み禁止 WPB ピンによる書き込み禁止 ステータスレジスタ(BP1,BP0)による 書き込み禁止ブロックの設定 低電圧時の誤書き込み禁止回路内蔵
・ 出荷時データ メモリアレイ：FFh, ステータス レジスタ BP1, BP0 : 0
・ 100 年間のデータ保持が可能
・ 100 万回のデータ書き換えが可能
