短絡耐量 2µs, 650V 50A, FRD内蔵, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT - RGTV00TK65D
RGTV00TK65Dは低VCE(sat)、低スイッチング損失のIGBTです。PFC、ソーラーインバータ、UPS、溶接、IHなどのアプリケーションに最適です。
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特性:
シリーズ
TV: For inverter (tsc 2µs)
VCES [V]
650
IC(100℃) [A]
26
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.5
tf(Typ.) [ns]
38
tsc(Min.) [us]
2
ダイオード 内蔵
FRD
BVCES(Min.) [V]
650
保存温度範囲 (Min.)[℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
特長:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching & Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 2μs
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant