RGTV00TK65D
短絡耐量 2µs, 650V 50A, FRD内蔵, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT

RGTV00TK65Dは低VCE(sat)、低スイッチング損失のIGBTです。PFC、ソーラーインバータ、UPS、溶接、IHなどのアプリケーションに最適です。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RGTV00TK65DGC11
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-3PFM
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

TV: For inverter (tsc 2µs)

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

26

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.5

tf(Typ.) [ns]

38

tsc(Min.) [us]

2

ダイオード 内蔵

FRD

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • High Speed Switching & Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 2μs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

デザインリソース

 

ドキュメント

アプリケーションノート

  • 第3世代 650V IGBTシリーズ Application Note

技術記事

回路設計・検証

  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルとは(IGBT)
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • RGTV00TK65D SPICE Simulation Evaluation Circuit
  • RGTV00TK65D SPICE Model
  • RGTV00TK65D Thermal Model (lib)
  • PSpiceモデルのシンボル作成方法

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

環境データ

  • UL難燃性について
  • ELV指令適合証明書
  • Report of SVHC under REACH Regulation

輸出関連情報

  • 米国輸出規制 (EAR) について