ROHM Product Detail

新規設計非推奨

RGT8NL65D

短絡耐量 5µs, 650V 4A, FRD内蔵, LPDL, Field Stop Trench IGBT
データシート
RGT8NL65D

新規設計非推奨 RGT8NL65D
短絡耐量 5µs, 650V 4A, FRD内蔵, LPDL, Field Stop Trench IGBT

既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。

データシート
データシート

主な仕様

 
形名 | RGT8NL65DGTL
供給状況 | 新規設計非推奨
パッケージ | LPDL (TO-263L)
包装形態 | テーピング
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
RoHS | Yes

特性:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

4

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

71

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

65

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

15.1x10.1 (t=4.7)

特長:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5μs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
推奨製品検索
X

Most Viewed