RGT50NS65D(LPDS)
短絡耐量 5µs, 650V 25A, FRD内蔵, LPDS, Field Stop Trench IGBT

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RGT50NS65DGTL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | LPDS
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

25

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

65

tsc(Min.) [us]

5

ダイオード 内蔵

FRD

Pd [W]

194

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5µs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
  • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
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新商品一覧

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

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  • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
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  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
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モデルとツール

デザインモデル

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パッケージと品質データ

パッケージ情報

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製造データ

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