650V 25A Field Stop Trench IGBT - RGT50NS65D(LPDS)
ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。
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特性:
シリーズ
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C) [A]
25
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
65
tsc(Min.) [us]
5
ダイオード 内蔵
FRD
Pd [W]
194
BVCES(Min.) [V]
650
保存温度範囲 (Min.)[°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 5µs
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
- Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant