BM3G007MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 70mΩ 2MHz, GaN HEMT パワーステージIC
本製品は産業機器市場へ向けた、長期の供給を保証するランクの製品です。これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。BM3G007MUV-LB は、高電力密度と効率を必要とするすべてのエレクトロニクスシステムに最適なソリューションを提供します。650V耐圧GaN HEMTとシリコンドライバをオリジナルパッケージに統合することにより、PCBとワイヤボンディングによって生じる寄生インダクタンスが、従来のディスクリートソリューションに比べて大幅に低減されます。これにより、150V/nsまでの高いスイッチングスルーレートが達成できます。また、調整可能なゲート駆動強度は、低EMIに寄与し、種々の保護及び他の追加機能は、トータルコスト、PCBサイズを最適化します。このICは、主要な既存のコントローラICに適応させるように設計されているため、スーパージャンクションMOSFETのような従来のディスクリートパワースイッチの置き換えにも使用可能です。
主な仕様
特性:
Vin (Min.)[V]
-0.6
Vin (Max.)[V]
30
Operating Current@130 kHz(Typ) [μA]
650
Quiescent Current (Typ) [μA]
180
Switching Frequency(Max)[MHz]
2
Turn-on Delay Time(Typ)[ns]
12
Turn-off Delay Time(Typ)[ns]
15
Temperature (Min.)[°C]
-40
Temperature (Max.)[°C]
105
ON State Resistance(Typ)[mΩ]
70
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Application
Networking, Server
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Min.)[°C]
150
特長:
- Nano Cap™搭載 出力を選択可能な5V LDO
- 産業機器に適した長期の供給保証
- 広い動作範囲のVDD端子電圧
- 広い動作範囲のIN端子電圧
- 低VDD静止及び動作電流
- 低伝搬遅延
- 高いdv/dt耐性
- 調整可能なゲート駆動強度
- PowerGood信号出力
- VDD UVLO保護
- サーマルシャットダウン保護
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
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- Evaluation Board - BM3G007MUV-EVK-001
本評価ボードは、90Vac〜264Vacの入力から絶縁12Vの電圧を出力し、出力最大電流は8.3Aを出力できます。主にアダプタ用電源として開発しました。平均効率はVIN=230Vのとき90.7%です。BM3G007MUVはGaN HEMT(650V70mΩ)、ドライバと保護回路を内蔵しています。AC/DC電源向けQRコントローラはBM1Q021FJを使用しています。
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- Evaluation Board - BM3G007MUV-EVK-003
BM3G007MUV-EVK-003評価ボードは、BM3G007MUV(GaN FET(650V 70mΩ)、ドライバと保護回路を内蔵)と周辺部品を搭載した基板です。この評価ボードは、主要な既存のコントローラICに適応させるように設計されているため、スーパージャンクションMOSFETのような従来のディスクリートパワースイッチの置き換えにも使用可能です。
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- Evaluation Board - BM3G007MUV-EVK-002
GaN HEMT搭載、力率改善 400V 240W BM3G007MUV 評価ボード
関連動画&カタログ
