BM3G007MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 70mΩ 2MHz, GaN HEMT パワーステージIC

本製品は産業機器市場へ向けた、長期の供給を保証するランクの製品です。これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。BM3G007MUV-LB は、高電力密度と効率を必要とするすべてのエレクトロニクスシステムに最適なソリューションを提供します。650V耐圧GaN HEMTとシリコンドライバをオリジナルパッケージに統合することにより、PCBとワイヤボンディングによって生じる寄生インダクタンスが、従来のディスクリートソリューションに比べて大幅に低減されます。これにより、150V/nsまでの高いスイッチングスルーレートが達成できます。また、調整可能なゲート駆動強度は、低EMIに寄与し、種々の保護及び他の追加機能は、トータルコスト、PCBサイズを最適化します。このICは、主要な既存のコントローラICに適応させるように設計されているため、スーパージャンクションMOSFETのような従来のディスクリートパワースイッチの置き換えにも使用可能です。

主な仕様

 
形名 | BM3G007MUV-LBE2
供給状況 | 推奨品
パッケージ | VQFN046V8080
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

Vin (Min.)[V]

-0.6

Vin (Max.)[V]

30

動作電流@130 kHz(Typ) [μA]

650

静止電流 (Typ) [μA]

180

許容入力スイッチング周波数(Max)[MHz]

2

ターンオン遅延時間(Typ)[ns]

12

ターンオフ遅延時間(Typ)[ns]

15

動作温度 (Min.) [℃]

-40

動作温度 (Max.) [℃]

105

GaN HEMT D-S ON 抵抗(Typ)[mΩ]

70

パッケージサイズ [mm]

8.0x8.0 (t=1.0)

アプリケーション

Networking, Server

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

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特長:

  • Nano Cap™搭載 出力を選択可能な5V LDO
  • 産業機器に適した長期の供給保証
  • 広い動作範囲のVDD端子電圧
  • 広い動作範囲のIN端子電圧
  • 低VDD静止及び動作電流
  • 低伝搬遅延
  • 高いdv/dt耐性
  • 調整可能なゲート駆動強度
  • PowerGood信号出力
  • VDD UVLO保護
  • サーマルシャットダウン保護

リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット

 
    • Evaluation Board - BM3G007MUV-EVK-003
    • BM3G007MUV-EVK-003評価ボードは、BM3G007MUV(GaN FET(650V 70mΩ)、ドライバと保護回路を内蔵)と周辺部品を搭載した基板です。この評価ボードは、主要な既存のコントローラICに適応させるように設計されているため、スーパージャンクションMOSFETのような従来のディスクリートパワースイッチの置き換えにも使用可能です。

  • User Guide
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