YQ3LAM10D (開発中)
トレンチMOSバリア構造, 100V, 3A, PMDTM, 高効率パワーSBD
YQ3LAM10D
主な仕様
特性:
Configuration
Single
パッケージコード
SOD-128
実装方法
Surface mount
端子数
2
尖頭逆方向電圧 VRM [V]
100
直流逆方向電圧 VR [V]
100
平均整流電流 IO[A]
3
尖頭順サージ電流 IFSMシングル[A]
80
順方向電圧 VF(Max.) [V]
0.64
IF @順方向電圧 VF[A]
3
逆方向電流 IR(Max.) [mA]
0.03
VR @逆方向電流 IR [V]
100
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.) [℃]
175
パッケージサイズ [mm]
2.5x4.7 (t=1.05)
特長:
- 高信頼性
- 小型パワーモールド
- 低VF / 低IR
- 低容量
