低電圧動作グランドセンスオペアンプ - TLR342FJ | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
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低電圧動作グランドセンスオペアンプ - TLR342FJ
TLR342FJはグランドセンスCMOSオペアンプです。低電圧動作、低消費電流を特徴としており、バッテリ駆動アプリケーションに最適です。また、MOSFET入力であるため、入力バイアス電流が1pA (Typ) と低くセンサアンプにも使用可能です。
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特性:
グレード
Standard
Power supply(Min.)[V](+5V=5, +/-5V=10)
1.8
Power supply(Max.)[V](+5V=5, +/-5V=10)
5.5
チャンネル数
2
回路電流(Typ.)[mA]
0.15
入力オフセット電圧(Max.)[mV]
4.0
入力バイアス電流(Typ.)[nA]
0.001
スルーレート(Typ.)[V/µS]
1.0
大振幅電圧利得(Typ.)[dB]
110.0
入力換算雑音電圧(Typ.)[nV/√Hz]
33.0
CMRR(Typ.)[dB]
90.0
PSRR(Typ.)[dB]
95.0
GBW(Typ.)[MHz]
2.3
動作温度範囲(Min.)[°C]
-40
動作温度範囲(Max.)[°C]
85
特長:
- 低電圧動作
- 入力グランドセンス/出力フルスイング
- 高電圧利得
- 低入力バイアス電流
- 低消費電流
- 低入力オフセット電圧