ROHM News Detail

業界最高クラス※のWide-SOAを実現したMOSFETを開発

※2026年7月16日現在 ローム調べ

HPLF5060 Package

ローム株式会社（本社：京都市）は、車載安全機能や保護回路向けに、100V耐圧MOSFET「RS4P063BPHZG」を開発しました。
新製品は、車載用途で標準的な5060サイズパッケージにおいて、広い電圧範囲で業界最高クラスのSOA*1耐量（Wide-SOA）を実現したMOSFETです。二次降伏*2の発生を抑制する設計により、同等サイズの一般品と比較して約5倍のSOA耐量を実現しています。（条件：VDS=100V、PW=100μs）。これにより、エアバッグ用インフレータ点火回路やシートベルトプリテンショナーの駆動回路など、瞬間的な高電力負荷が発生する車載アプリケーションの信頼性向上に貢献します。
また、標準的な5060サイズパッケージを採用することで、既存のレイアウトを活用した置き換え検討がしやすく、設計変更に伴う工数やコストの抑制に寄与します。
新製品は、2026年6月より量産を開始しています（サンプル価格450円／個：税抜）。インターネット販売にも対応しており、ROHM Online Storeのほか、コアスタッフオンラインやArrow.comなどから購入することができます。なお、デザインモデルや各種ツールなどもローム公式Webサイトで入手可能であり、迅速な回路検討をサポートします。
ロームでは車載向けWide-SOA対応MOSFETとして、HPLF8080パッケージ品（8.0 × 8.0mm）およびTOLG（TO-Leaded with Gullwing）パッケージ品（9.9 × 11.7mm）の開発にも着手しており、今後も車載安全機能や保護回路向けのラインアップを拡充してまいります。

1個から購入可能

Part No. Data Sheet Polarity VDSS
[V]		 ID
[A]		 RDS(on) Typ.
(10V)
[mΩ]		 RDS(on) Max.
(10V)
[mΩ]		 Qg
(10V)
[nC]		 Ciss
[pF]		 Package AEC-Q101
Qualified
NewRS4P063BPHZG Data Sheet PDF N 100 120 4.9 6.3 55 3590 HPLF5060
HPLF5060		 Yes
☆RY4P030BPHZG - 290 2.4 3.0 110 7450 HPLF8080
HPLF8080
☆RJ4P157BPHZG - 300 1.21 1.57 190 13500 TOLG
TOLG

☆：Under Development

＜開発の背景＞

近年、自動車の電装化に伴い、車載システムでは高電圧・高電流への対応が求められています。 特に、安全機能や保護回路では、異常時・緊急時に瞬間的な高電力負荷が発生するため、駆動するMOSFETには高いSOA耐量が求められます。
ロームはこれまで、AIサーバーや産業機器電源向けにWide-SOAを特長とする製品をラインアップし、世界的なクラウドプラットフォーム企業の推奨部品に選定されるなど、幅広い実績を積み重ねてきました。こうした技術やノウハウを車載分野にも展開した新製品を開発しました。

＜アプリケーション例＞

・エアバッグ用インフレータ点火回路
・シートベルトプリテンショナーの駆動回路
・バッテリー遮断用パイロヒューズ駆動回路
・その他、短時間に大電流・高電圧ストレスが発生する車載安全機能、保護回路

＜EcoMOS™（エコモス）ブランドについて＞

EcoMOS™は、パワーデバイス分野において省エネ化が要求されるアプリケーションに最適な、ロームが開発するシリコンパワーMOSFETのブランドです。
家電、産業機器、車載などの幅広いアプリケーションに搭載されるEcoMOS™は、ノイズ性能やスイッチング性能などの多岐にわたるパラメータから、用途に応じた製品選択ができるラインアップを展開しています。

EcoMOS™ Logo

EcoMOS™は、ローム株式会社の商標または登録商標です。

＜用語説明＞

*1）SOA（Safe Operating Area）
デバイスが破損せず安全に動作できる電圧・電流の範囲のこと。この安全動作領域を超える動作は熱暴走や損傷の原因となるため、特に突入電流や過電流が発生するアプリケーションでは、SOA耐量を考慮する必要がある。Wide-SOAは、高電圧領域でも二次降伏を抑制し、広い電圧・電流範囲にわたって安全動作領域を確保できる特性のこと。
*2）二次降伏
高電圧印加状態で電流を流すと、素子内で局所的に大電流が流れて破壊すること。二次降伏領域を克服することで、短時間の高電力パルスに対する耐量向上が期待できる。