DTD123YC
NPN, SOT-23, R1≠R2 デジタルトランジスタ (バイアス抵抗内蔵トランジスタ)
DTD123YCは抵抗器内蔵型のトランジスタです。バイアス用の抵抗は薄膜抵抗により構成し完全にアイソレーションしているため、入力を負にバイアスできます。また、寄生効果がほとんど生じないという利点があります。
主な仕様
特性:
パッケージコード
TO-236AB
端子数
3
極性
NPN
電源電圧 VCC [V]
50
コレクタ電流 Io(Ic) [A]
0.5
入力抵抗 R1 [kΩ]
2.2
ベース抵抗 R2 [kΩ]
10
コレクタ電圧 VCEO[V]
50
コレクタ電流 Io(Ic)［A］
0.5
許容損失 PD [W]
0.2
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
2.9x2.4 (t=1.2)
特長:
- NPN epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
- 1)バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。(等価回路図参照)
- 2)バイアス用の抵抗は、薄膜抵抗により構成し、完全にアイソレーションしているため、入力を負にバイアスできる。また、寄生効果がほとんど生じないという利点がある。
- 3)ON-OFF条件の設定だけで動作するため、機器の設計が容易に行える。
