DTA115EE
PNP, SOT-416, R1=R2 デジタルトランジスタ (バイアス抵抗内蔵トランジスタ)

DTA115EEはデジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ)のスタンダード品です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | DTA115EETL
供給状況 | 購入可能
パッケージ | EMT3
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

SOT-416

JEITAパッケージ

SC-75A

パッケージサイズ[mm]

1.6x1.6 (t=0.7)

端子数

3

極性

PNP

電源電圧 VCC [V]

-50.0

コレクタ電流 Io(Ic) [A]

-0.1

入力抵抗 R1 [kΩ]

100.0

ベース抵抗 R2 [kΩ]

100.0

許容損失 PD [W]

0.15

実装方式

Surface mount

直流電流増幅率 GI

82 or more

出力電流 IO [A]

-0.02

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

・スタンダードなデジタルトランジスタ
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルとは(トランジスタ)
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

シミュレーション(ログイン必要)

  • 回路データのエクスポート方法 (ROHM Solution Simulator)

デザインモデル

  • DTA115EE SPICE Model
  • DTA115EE Thermal Model (lib)

2D/3D/CAD

  • EMT3 3D STEP Data

特性データ

  • 静電気耐圧データ

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 内部構造図
  • 包装仕様
  • 標印仕様説明
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について
  • はんだ付け条件

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

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  • 構成物質一覧表 - クリックしてお問い合わせください
  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について