BSM300D12P3E005
1200V, 300A, ハーフブリッジ トレンチMOS内蔵 フルSiCパワーモジュール

BSM300D12P3E005はローム製SiC-UMOSFETとSiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)で構成された、ハーフブリッジタイプSiCパワーモジュールです。モータ駆動、インバータ/コンバータ用途に最適です。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | BSM300D12P3E005
供給状況 | 推奨品
パッケージ | E
包装数量 | 4
最小個装数量 | 4
包装形態 | 段ボール
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

ID [A]

300.0

PD [W]

1260

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-40

保存温度範囲 (Max.)[℃]

125

パッケージサイズ [mm]

152x57.95 (t=18)

特長:

  • 低サージ・低損失
  • 高速スイッチング
  • 特性の温度依存性が低い

評価ボード

 
    • Drive Board
    • AgileSwitch 2ASC-12A1HP / EDCA1
    • For BSM series (1200V, E / G type)
      Core Driver : 2ASC-12A1HP
      Adapter Board : EDCA1

  • 詳細
    • Drive Board
    • BSMGD3G12D24-EVK001
    • This evaluation board, BSMGD3G12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules with the 3nd Generation SiC-MOSFET in G and E type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

  • ユーザーガイド 購入問合せ
    • Snubber Module
    • EVSM1D72J2-145MH16
    • BSM series (1200V, E / G type)

  • 購入問合せ
    • Drive Board
    • TAMURA 2DU series
    • For BSM series (1200V, C / E / G type)

  • 詳細

デザインリソース

 

モデルとツール

デザインモデル

  • BSM300D12P3E005 PLECS Model
  • BSM300D12P3E005 SPICE Simulation Evaluation Circuit
  • BSM300D12P3E005 SPICE Model
  • BSM300D12P3E005 Thermal Model (lib)
  • PSpiceモデルのシンボル作成方法
  • Power Module Loss Simulator - 3Phase Inverter
  • Power Module Loss Simulator - Boost Converter
  • Power Module Loss Simulator - Buck Converter

パッケージと品質データ