BSM300D12P3E005
1200V, 300A, ハーフブリッジ トレンチMOS内蔵 フルSiCパワーモジュール

BSM300D12P3E005はローム製SiC-UMOSFETとSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）で構成された、ハーフブリッジタイプSiCパワーモジュールです。モータ駆動、インバータ/コンバータ用途に最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | BSM300D12P3E005
供給状況 | 推奨品
パッケージ | E
包装数量 | 4
最小個装数量 | 4
包装形態 | 段ボール
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

ID [A]

300

PD [W]

1260

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-40

保存温度範囲 (Max.)[℃]

125

パッケージサイズ [mm]

152x57.95 (t=18)

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特長:

  • 低サージ・低損失
  • 高速スイッチング
  • 特性の温度依存性が低い

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