BSM250D17P2E004
1700V, 250A, ハーフブリッジ フルSiCパワーモジュール
BSM250D17P2E004はローム製のSiC-DMOSFETとSiC-SBDで構成されるフルSiCのハーフブリッジモジュールです。高温高湿バイアス試験（HV-H3TRB）において、1,000時間を超えても絶縁破壊を起こさない高信頼性を実現しました。これにより、高温高湿度環境下でも安心して1700Vの高耐圧を扱うことができます。屋外発電システムや充放電試験機などの評価装置をはじめとする産業機器用電源のインバータ、コンバータに最適の製品です。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
1700
Drain Current[A]
250
Total Power Dissipation[W]
1800
Junction Temperature (Max.) [℃]
175
Storage Temperature (Min.) [℃]
-40
Storage Temperature (Max.) [℃]
125
Package
Half-bridge
Package Size [mm]
152.0x62.0 (t=18.0)
特長:
- 低サージ・低損失
- 高速スイッチング
- 特性の温度依存性が低い
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
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- Drive Board - BSMGD2G17D24-EVK001
This evaluation board, BSMGD2G17D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules with the 2nd Generation 1700V SiC-MOSFET in E type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.
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- Snubber Module - MGSM1D72J3-934MH93
Snubber Module for BSM250 (1700V,E type)
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- Drive Board - TAMURA 2DUB series
Drive Board for BSM series (1700V, E type)
関連動画&カタログ
