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SiC パワーモジュール - BSM180D12P2C101

ローム製SiC-DMOSFETを用いたハーフブリッジ構成のSiC MOSFETモジュールです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | BSM180D12P2C101
供給状況 | 供給中
パッケージ | C
包装数量 | 12
最小個装数量 | 12
包装形態 | トレイ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

ID [A]

204.0

PD [W]

1360

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲(Min.)[°C]

-40

保存温度範囲(Max.)[°C]

125

内部回路

Half bridge

特長:

・還流ダイオードを省いたSiC MOSFETモジュール
・高速スイッチング・低スイッチングロス
・高速リカバリ・高信頼性 寄生ダイオード