BSM180D12P2C101
1200V, 204A, ハーフブリッジ フルSiCパワーモジュール

ローム製SiC-DMOSFETを用いたハーフブリッジ構成のSiC MOSFETモジュールです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | BSM180D12P2C101
供給状況 | 購入可能
パッケージ | C
包装数量 | 12
最小個装数量 | 12
包装形態 | トレイ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

ID [A]

204

PD [W]

1360

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-40

保存温度範囲 (Max.)[℃]

125

内部回路

Half bridge

パッケージサイズ [mm]

122x45.6 (t=17.5)

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