ROHM Product Detail

BSM120D12P2C005
1200V, 134A, ハーフブリッジ フルSiCパワーモジュール

ローム製SiCデバイスを用いたハーフブリッジ構成のフルSiCパワーモジュールです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | BSM120D12P2C005
供給状況 | 推奨品
パッケージ | C Type
包装形態 | 段ボール
包装数量 | 12
最小個装数量 | 12
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

134

Total Power Dissipation[W]

935

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Half-bridge

Package Size [mm]

122.0x45.6 (t=17.5)

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・SiC MOSFETとSiC SBDによるフルSiCモジュール
・高速スイッチング・低スイッチングロス

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