SiC パワーモジュール - BSM120D12P2C005
ローム製SiCデバイスを用いたハーフブリッジ構成のフルSiCパワーモジュールです。
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特性:
VDS [V]
1200
ID [A]
134.0
PD [W]
935
ジャンクション温度 (Max.)[°C]
175
保存温度範囲 (Min.) [°C]
-40
保存温度範囲 (Max.)[°C]
125
内部回路
Half bridge
特長:
・SiC MOSFETとSiC SBDによるフルSiCモジュール・高速スイッチング・低スイッチングロス
