ROHM Product Detail

SCT4026DTW (新製品)

750V, 54A, 9端子SMD, トレンチ構造, SiC-MOSFET
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SCT4026DTW
(新製品)

SCT4026DTW (新製品)
750V, 54A, 9端子SMD, トレンチ構造, SiC-MOSFET

本製品は、TSC3PAKパッケージのSiC MOSFETです。TSC3PAKは、放熱面をパッケージ上面に配置した上面放熱構造により、面実装でありながら従来の挿入型パッケージ同等レベルの放熱性能を実現しています。また、独自の溝構造により6.66mmの沿面距離を確保し、汚染度2環境下で1200VのACピーク電圧に対応。高耐圧アプリケーションにおける安全な絶縁設計と高信頼化に貢献します。さらに、低オン抵抗と高速スイッチングを実現し、電力変換回路の高効率化と省電力化に貢献します。xEVのオンボードチャージャーや電動コンプレッサーに加えて、PVインバータやサーバー電源にも最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | SCT4026DTWTCR
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TSC3PAK
包装形態 | テーピング
包装数量 | 600
最小個装数量 | 600
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

750

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

26

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

54

Total Power Dissipation[W]

163

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

14.0x18.58 (t=3.625)

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特長:

  • Wide creepage distance = min.6.66mm
  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
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