N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT3022AL | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
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N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT3022AL
SCT3022ALは650V 93AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
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特性:
VDS [V]
650
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
22.0
ID [A]
93.0
PD [W]
339
ジャンクション温度 (Max.)[°C]
175
保存温度範囲 (Min.) [°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
・ 低オン抵抗・ 高速スイッチングスピード
・ 高速リカバリー
・ 並列使用が容易
・ 駆動回路が簡単
・ Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
