SCT3022AL
650V, 93A, THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET
SCT3022ALは650V 93AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
22
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
93
Total Power Dissipation[W]
339
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特長:
・ 低オン抵抗・ 高速スイッチングスピード
・ 高速リカバリー
・ 並列使用が容易
・ 駆動回路が簡単
・ Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
