ROHM Product Detail

SCT2H12NWB (新製品)
1700V, 3.9A, 7端子SMD, SiC-MOSFET

SiCによるプレーナタイプMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。

データシート 在庫確認
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | SCT2H12NWBTL1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-263CA-7LSHYAD
包装形態 | テーピング
包装数量 | 800
最小個装数量 | 800
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150

Generation

2nd Gen (Planar)

Drain Current[A]

3.9

Total Power Dissipation[W]

39

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

15.5x10.2 (t=4.7)

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特長:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Wide creepage distance = 6.1 mm
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant