SCT2160KE
1200V, 22A, THD, SiC-MOSFET
SiCによるプレーナタイプMOSFETです。（SiC-SBD非同梱タイプ） 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
160
Generation
2nd Gen (Planar)
Drain Current[A]
22
Total Power Dissipation[W]
165
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特長:
・ 低オン抵抗・ 高速スイッチングスピード
・ 高速リカバリー
・ 並列使用が容易
・ 駆動回路が簡単
・ Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
