SiC MOSFET - SCT2120AF

SCT2120AFは650V 29A N-channel SiC パワーMOSFETです。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

技術資料

ホワイトペーパー

採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
 
画期的な特性を有したSiC(シリコンカーバイド)半導体を用いたロームの最新パワーデバイスソリューションを紹介する。

アプリケーションノート

ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い
 
このアプリケーションノートはMOSFETブリッジ構成における各MOSFETのゲート―ソース間電圧に着目し、最も簡単な同期方式boost回路を例にして、スイッチング動作を詳細に理解することを目的とします。
SiC パワーデバイス・モジュール
 
スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
SiC-MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
 
SiC-MOSFETのゲートーソース間に発生するサージの発生原因を明確にしながら、最適な対策方法を説明
SiC MOSFET のスナバ回路
 
ドレインーソース間のサージ抑制方法のひとつであるスナバ回路の設計方法
NE ハンドブックシリーズ
 
パワー半導体
形名の構成
 
For SiC MOSFET

デザインモデル

SPICE Simulation Evaluation Circuit
 
SPICEモデルを使用した素子評価用の回路データ
SPICEモデル
 
SCT2120AFのSPICEモデルをダウンロード
熱計算モデル
 
SCT2120AFの熱計算モデルをダウンロード

基礎情報(環境データなど) Batch Download 

パッケージ情報

外形寸法図
 
For SiC TO-220AB package
内部構造図
 
For SCT2120AF
包装仕様
 
For TO-220AB package
耐湿レベルについて
 
For SiC
耐ウィスカ性能について
 
For SiC
はんだ付け条件
 
For THD SiC

環境データ

UL難燃性について
 
For SiC
ELV指令適合証明書
 
For SiC
REACH規制-高懸念物質非含有について
 
For SiC

信頼性情報

信頼性試験結果
 
For SCT2120AF

製品個別データ

ESD Data
 
For SCT2120AF

輸出関連情報

米国輸出規制 (EAR) について
 
For SiC