SCT2120AF
650V, 29A, THD, SiC-MOSFET主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
120
Generation
2nd Gen (Planar)
Drain Current[A]
29
Total Power Dissipation[W]
165
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.94x10.33 (t=4.65)
特長:
・ 低オン抵抗・ 高速スイッチングスピード
・ 高速リカバリー
・ 並列使用が容易
・ 駆動回路が簡単
・ Pbフリー対応済み、 RoHS準拠