ROHM Product Detail

製造中止 SCH2080KE
1200V, 40A, THD, SBD内蔵タイプSiC-MOSFET

この製品は製造中止されており、購入することはできません。

主な仕様

 
形名 | SCH2080KEC
供給状況 | 製造中止
パッケージ | TO-247
包装形態 | チューブ
包装数量 | 360
最小個装数量 | 30
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

80

Generation

2nd Gen (Planar)

Drain Current[A]

40

Total Power Dissipation[W]

262

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

20.95x15.9 (t=5.21)

特長:

・低オン抵抗
・高速スイッチング・低スイッチングロス
・SiC SBDをパッケージ内に同梱
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠