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SiC MOSFET - SCH2080KE

SiCによるプレーナタイプMOSFETです。（SiC-SBD同梱タイプ） 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
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形名 | SCH2080KEC
供給状況 | 供給中
パッケージ | TO-247
包装数量 | 360
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

80

ID [A]

40.0

PD [W]

262

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

175

特長:

・低オン抵抗
・高速スイッチング・低スイッチングロス
・SiC SBDをパッケージ内に同梱
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠

サポートリンク:

SiC（シリコンカーバイド）特設サイト
低オン抵抗や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されているSiC（シリコンカーバイド）。省電力化のキーデバイスとして、 ロームは世界に先駆けてSiCパワーデバイスとモジュールの開発に取り組んでいます。
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