SiC MOSFET - SCH2080KE | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
Rohm Productdetail
SiC MOSFET - SCH2080KE
SiCによるプレーナタイプMOSFETです。（SiC-SBD同梱タイプ） 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
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特性:
VDS [V]
1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
80.0
ID [A]
40.0
PD [W]
262
ジャンクション温度 (Max.)[°C]
175
保存温度範囲 (Min.) [°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
・低オン抵抗・高速スイッチング・低スイッチングロス
・SiC SBDをパッケージ内に同梱
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
