SCH2080KE
1200V, 40A, THD, SBD内蔵タイプSiC-MOSFET主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
80
Generation
2nd Gen (Planar)
Drain Current[A]
40
Total Power Dissipation[W]
262
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
20.95x15.9 (t=5.21)
特長:
・低オン抵抗・高速スイッチング・低スイッチングロス
・SiC SBDをパッケージ内に同梱
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠