N-channel Silicon Carbide power MOSFETbare die - S4102 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor - japan

Rohm Productdetail

S4102はSiC（シリコンカーバイド）によるパワーMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

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形名 | S4102

供給状況 | 供給中

パッケージ |

包装数量 |

最小個装数量 |

包装形態 |

RoHS | Yes

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

ID [A]

72.0

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲 (Min.)[°C]

-55

保存温度範囲 (Max.)[°C]

175

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