N-channel Silicon Carbide power MOSFETbare die - S4102 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor - japan
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N-channel Silicon Carbide power MOSFETbare die - S4102
S4102はSiC（シリコンカーバイド）によるパワーMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
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特性:
VDS [V]
1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
30
ID [A]
72.0
ジャンクション温度 (Max.)[°C]
175
保存温度範囲 (Min.)[°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
