N-channel SiC パワーMOSFET Bare die - S4101 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
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N-channel SiC パワーMOSFET Bare die - S4101
S4101はSiC（シリコンカーバイド）によるトレンチタイプMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
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特性:
VDS [V]
1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
40.0
ID [A]
55.0
ジャンクション温度 (Max.)[°C]
175
保存温度範囲 (Min.) [°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
· 低オン抵抗· 高速スイッチングスピード
· 高速リカバリー
· 並列使用が容易
· 駆動回路が簡単
