S4101
1200V, 55A, SiC-MOSFET Bare Die

S4101はSiC（シリコンカーバイド）によるトレンチタイプMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

データシート 在庫確認
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
データシート 在庫確認
  • ドキュメント  
  • モデルとツール  
  • FAQ
  • お問い合わせ

主な仕様

 
形名 | S4101
供給状況 | 購入可能
パッケージ |
包装数量 |
最小個装数量 |
包装形態 |
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

40.0

ID [A]

55.0

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

· 低オン抵抗
· 高速スイッチングスピード
· 高速リカバリー
· 並列使用が容易
· 駆動回路が簡単
SHOW/HIDE COLUMNS
新商品一覧

デザインリソース

 

ドキュメント

ホワイトペーパー

  • SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」
  • 採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
  • LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units

技術記事

回路設計・検証

  • [NEW]SiC パワーデバイス・モジュール アプリケーションノート
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱設計とは
  • 熱抵抗と放熱の基本
  • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
  • 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは（SiCパワーデバイス）
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルの使い方
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • S4101 SPICE Model
  • PSpiceモデルのシンボル作成方法