S2206
650V, 29A, SiC-MOSFET Bare Die
S2206
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
120
Generation
2nd Gen
Drain Current[A]
29
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
特長:
· 低オン抵抗· 高速スイッチングスピード
· 高速リカバリー
· 並列使用が容易
· 駆動回路が簡単