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DDR-SDRAM向けターミネーション用リニア電源 - BD35390FJ

BD35390FJは、JEDEC準拠のDDR1/2/3-SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1Aまで供給できるリニア電源です。内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3Vもしくは5.0Vが必要です。JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン(VDDQ)と独立したフィードバックピン(VTTS)を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | BD35390FJ-E2
供給状況 | 供給中
パッケージ | SOP-J8
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

ch

1

Vin(Min.)[V]

2.7

Vin(Max.)[V]

5.5

Vout (Typ)[V]

0.75 to 1.25

Iout(Max.)[A]

1.0

Thermal Shut-down

Yes

Under Voltage Lock Out

Yes

Soft Start

Yes

動作温度範囲(Min.)[°C]

-30

動作温度範囲(Max.)[°C]

100

特長:

· ターミネーション用プシュプル電源内蔵(VTT)
· イネイブル機能内蔵
· 低入力誤動作防止回路内蔵(UVLO)
· 過熱保護回路内蔵(TSD)
· Dual Channel 対応(DDR1, DDR2, DDR3)
· PGOOD機能内蔵