BM6GD11BFJ-LB (新製品)
絶縁電圧2500Vrms GaN HEMT用絶縁素子内蔵1chゲートドライバ
BM6GD11BFJ-LB (新製品)
絶縁電圧2500Vrms GaN HEMT用絶縁素子内蔵1chゲートドライバ
本製品は産業機器市場へ向けたランクの製品です。これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。BM6GD11BFJ-LBはGaN HEMTを高速駆動可能な、絶縁電圧2500Vrms、最大入出力遅延時間60ns、最小入力パルス幅65nsの絶縁素子内蔵1chゲートドライバです。ソース側とシンク側の出力ドライバ端子が分離されており、GaN HEMTのゲート端子間に抵抗を挿入することで駆動波形の立ち上がりと立下りのスルーレートを個別に調整することが可能です。また、入力側（VCC1とGND1間）、出力側（VCC2とGND2間）にそれぞれ低電圧時誤動作防止機能（UVLO）を内蔵しています。
主な仕様
特性:
Configuration
High-side,Low-side,Half-bridge
Isolation Type
Isolated
Isolation Voltage[Vrms]
2500
Channel
1
Vcc1(Min.)[V]
4.5
Vcc1(Max.)[V]
5.5
Vcc2(Min.)[V]
4.5
Vcc2(Max.)[V]
6
I/O Delay Time(Max.)[ns]
Rise=8ns(typ)/ Fall=8ns(typ)
Min. Input Pulse Width[ns]
65
CMTI (Min.)[kV/μs]
150
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Temperature Monitor
No
Package Size [mm]
4.9x6.0 (t=1.65)
特長:
- 絶縁素子内蔵
- 低電圧時誤動作防止機能
