BM3GQ1A2MUV-LBZ (新製品)
650 V GaN HEMT 内蔵 疑似共振AC/DC コンバータ
BM3GQ1A2MUV-LBZ (新製品)
650 V GaN HEMT 内蔵 疑似共振AC/DC コンバータ
本製品は産業機器市場へ向けたランクの製品です。これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。BM3GQ1A2MUV-LBZは、コンセントがあるすべての製品に最適なシステムを提供する疑似共振型AC/DCコンバータです。疑似共振動作はソフトスイッチングを可能にし、EMIを低減することが可能です。650V GaN HEMTと電流検出抵抗が一体化されているので、設計を容易化できます。バースト動作は、軽負荷時の電力損失を低減します。BM3GQ1A2MUV-LBZには、ソフトスタート機能、バースト動作機能、サイクルごとの過電流保護、過電圧保護、過負荷保護などの各種保護機能が内蔵されています。
主な仕様
特性:
FET
GaN HENT Integrated
Controller Type
QR
Vin1(Min.)[V]
7.4
Vin1(Max.)[V]
55
Vmax (DrainMax) [V]
650
Start Circuit
Integrated
SW frequency(Max.)[kHz]
120
BR PIN
No
On Resistor (MOSFET)[Ω]
0.15
Channel
1
Light Load mode
Yes
EN
No
Soft Start
Yes
Thermal Shut-down
Yes
Under Voltage Lock Out
Yes
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
特長:
- Built-in 650 V GaN HEMT
- Quasi-resonant Type (Low EMI)
- Frequency Reduction Function
- Burst Operation at Light Load
- VCC UVLO (Under Voltage Lock Out)
- Over Current Protection Circuit per Cycle
- Soft Start Function
- ZT Pin Trigger Mask Function
- ZT OVP (Over Voltage Protection)
- AC UVLO (Under Voltage Lock Out)
- X-capacitor Discharge Function
