RU1C002ZP
1.2V駆動タイプ Pch MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RU1C002ZPTCL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | UMT3F
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

SOT-323FL

JEITAパッケージ

SC-85

端子数

3

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-20

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-0.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)

2.4

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

1

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.8

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

2.4

ゲート総電荷量 Qg [nC]

1.4

許容損失 PD [W]

0.15

駆動電圧 [V]

-1.2

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

2.0x2.1 (t=1.05)

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特長:

・低電圧1.2V駆動タイプ
・Pチャンネル 小信号MOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠

リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット

 
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      本リファレンスデザインのソフトウェアについては以下からダウンロードが可能です。
      [TPPFCSIC-EVK-301_SW.zip Download]

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