RQ3N060AT (新製品)
Pch -80V -18A, HSMT8, Power MOSFET
RQ3N060ATはスイッチングおよびロードスイッチに適した低オン抵抗のパワーMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-80
Drain Current ID[A]
-18
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.046
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.046
Total gate charge Qg[nC]
32
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
-6
Trr (Typ)[ns]
35
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型ハイパワーパッケージ（HSMT8）
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- 100%Rg及びアバランシェ耐量試験済
- ハロゲンフリー
