RQ3E120AT
Pch -30V -39A パワーMOSFET
RQ3E120ATは小型ハイパワーパッケージのスイッチング用途に適したミドルパワーMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0087
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0061
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0087
Total gate charge Qg[nC]
33
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特長:
· 低オン抵抗· 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8)で省スペース
· 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
· ハロゲンフリー
