RQ3C150BC
Pch -20V -37A パワーMOSFET

RQ3C150BCはスイッチングやロードスイッチ用途向けのミドルパワーMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RQ3C150BCTB
供給状況 | 推奨品
パッケージ | HSMT8
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

HSMT8 (3.3x3.3)

パッケージサイズ [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

推奨セット

Switching

端子数

8

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-20

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-37.0

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)

0.0088

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.0061

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0048

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0088

ゲート総電荷量 Qg [nC]

60.0

許容損失 PD [W]

20.0

駆動電圧 [V]

1.8

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ(HSMT8)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
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デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
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熱設計

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  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • RQ3C150BC SPICE Model
  • RQ3C150BC Thermal Model (lib)
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特性データ

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