デザインモデル
- RF4C100BC SPICE Model
- RF4C100BC Thermal Model (lib)
特性データ
- 静電気耐圧データ
RF4C100BC
主な仕様
特性:
グレード
Standard
パッケージコード
DFN2020-8S
パッケージサイズ[mm]
2.0x2.0 (t=0.6)
推奨セット
Switching
端子数
8
極性
Pch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
-20
ドレイン電流 (直流) ID [A]
-10.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)
0.0235
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.0154
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0235
ゲート総電荷量 Qg [nC]
23.5
許容損失 PD [W]
2.0
駆動電圧 [V]
-1.8
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
- 低オン抵抗
- 小型ハイパワーパッケージ（HUML2020L8）
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
デザインリソース
技術記事
回路設計・検証
- 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
- スイッチング回路の電力損失計算
- MOSFETの仕様書に記載している用語説明
- スイッチング波形のモニタ方法
- MOSFET の破壊メカニズムについて
- パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
- バイパスコンデンサのインピーダンス特性
熱設計
- 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
- 熱電対を用いた温度測定における注意点
- 熱モデルとは（トランジスタ）
- pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
- MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
- 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
- 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点
モデルとツール
デザインモデル
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特性データ
- 静電気耐圧データ
パッケージと品質データ
パッケージ情報
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