RF4C050AP
Pch -20V -10A Middle Power MOSFET

RF4C050APは低オン抵抗・小型ハイパワーパッケージのMOSFETで、スイッチングやロードスイッチ用途に最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RF4C050APTR
供給状況 | 推奨品
パッケージ | HUML2020L8 (Single)
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

DFN2020-8S

パッケージサイズ[mm]

2.0x2.0 (t=0.6)

推奨セット

Switching

端子数

8

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-20

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-10.0

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

0.032

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.022

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.018

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.032

ゲート総電荷量 Qg [nC]

55.0

許容損失 PD [W]

2.0

駆動電圧 [V]

-1.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • 小型ハイパワーパッケージ（HUML2020L8）
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
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技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
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  • スイッチング波形のモニタ方法
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熱設計

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  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは（トランジスタ）
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
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モデルとツール

デザインモデル

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特性データ

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