RE1C001ZP
Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RE1C001ZPTL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | EMT3F
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

SOT-416FL

JEITAパッケージ

SC-89

端子数

3

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-20

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-0.1

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)

10

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

6

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

3.4

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

2.5

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

10

許容損失 PD [W]

0.15

駆動電圧 [V]

-1.2

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

1.6x1.6 (t=0.85)

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特長:

・低電圧1.2V駆動タイプ
・Pチャンネル 小信号MOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
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