RD3P01BAT
Pch -100V -10A パワーMOSFET

RD3P01BATはスイッチングアプリケーションに適した低オン抵抗のパワーMOSFETです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RD3P01BATTL1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-252
包装形態 | テーピング
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

TO-252 (DPAK)

JEITAパッケージ

SC-63

推奨セット

Switching

端子数

3

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-100

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-10

RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)

0.21

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.181

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.21

ゲート総電荷量 Qg [nC]

12.3

許容損失 PD [W]

25

駆動電圧 [V]

-6

Trr (Typ.)[ns]

42

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

6.6x10.0 (t=2.4)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • 100% Rg及びアバランシェ耐量試験済
  • ハロゲンフリー
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