RD3H080SP
Pch -45V -8A Power MOSFET

RD3H080SPは低オン抵抗のPower MOSFETです。スイッチングのアプリケーションに最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RD3H080SPTL1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-252
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-252 (DPAK)

JEITAパッケージ

SC-63

パッケージサイズ[mm]

6.6x10.0 (t=2.3)

端子数

3

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-45

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-8.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.105

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.095

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.065

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.105

ゲート総電荷量 Qg [nC]

9.0

許容損失 PD [W]

15.0

駆動電圧 [V]

-4.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • 駆動回路が簡単
  • 並列使用が容易
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
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デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
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  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
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熱設計

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  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
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デザインモデル

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