RXH070N03
Nch 30V 7A Power MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
Package Code
SOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
7
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.028
Total gate charge Qg[nC]
5.8
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
特長:
・4V駆動タイプ・Ｎチャンネル ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
