RUM002N05
1.2V駆動タイプ Nch MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RUM002N05T2L
供給状況 | 推奨品
パッケージ | VMT3
包装数量 | 8000
最小個装数量 | 8000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

SOT-723

パッケージサイズ [mm]

1.2x1.2 (t=0.5)

JEITAパッケージ

SC-105AA

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

50

ドレイン電流 (直流) ID [A]

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)

2.4

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

2.0

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

2.4

許容損失 PD [W]

0.15

駆動電圧 [V]

1.2

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

・低電圧1.2V駆動タイプ
・Ｎチャンネル　小信号MOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
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技術記事

回路設計・検証

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デザインモデル

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