RUC002N05
1.2V駆動タイプ Nch MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
Package Code
TO-236AB (SOT-23)
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
2.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.2
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.4x2.9 (t=1.2)
特長:
・低電圧1.2V駆動タイプ・Ｎチャンネル 小信号MOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
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