RSJ400N10
Nch 100V 40A Power MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
40
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.021
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.021
Total gate charge Qg[nC]
90
Power Dissipation (PD)[W]
50
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
13.1x10.1 (t=4.7)
特長:
・4V駆動タイプ・Nチャンネル パワーMOSFET
・高速スイッチング
・駆動回路が簡単
・並列使用が容易
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
