RS1P600BH
Nch 100V 60A, HSOP8, パワーMOSFET
RS1P600BHは低オン抵抗のPower MOSFETです。スイッチングやモータ駆動、DC/DCコンバータのアプリケーションに最適です。
主な仕様
特性:
Package Code
HSOP8
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
60
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0086
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0086
Total gate charge Qg[nC]
21
Power Dissipation (PD)[W]
35
Drive Voltage[V]
6
Trr (Typ)[ns]
63
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型面実装パッケージで省スペース
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100% Rg及びアバランシェ耐量試験済
