RS1G300GN
Nch 40V 80A パワーMOSFET

RS1G300GNはNch 40V 30A のパワーMOSFETで、高効率DC/DCコンバータやモータードライバーの用途に適しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | RS1G300GNTB
供給状況 | 推奨品
パッケージ | HSOP8 (Single)
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

HSOP8S (5x6)

パッケージサイズ[mm]

5.0x6.0 (t=1.0)

推奨セット

Power Supply

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

40

ドレイン電流 (直流) ID [A]

80.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0024

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0019

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0024

ゲート総電荷量 Qg [nC]

28.6

許容損失 PD [W]

35.0

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

Bare Die/Wafer 品番

Available: K4724

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ(HSOP8)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
  • 100% Rg 及びアバランシェ耐量試験済
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デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
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熱設計

  • 熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは（トランジスタ）
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
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モデルとツール

シミュレーション（ログイン必要）

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デザインモデル

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