RS1E350BN
Nch 30V 80A パワーMOSFET
RS1E350BNは低オン抵抗、小型ハイパワーパッケージのMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
HSOP8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0018
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0018
Total gate charge Qg[nC]
95
Power Dissipation (PD)[W]
35
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4007
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ (HSOP8)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100% Rg 及びアバランシェ耐量試験済
