RS1E200GN
4.5V駆動タイプ Nch MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
Package Code
HSOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
57
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0047
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0036
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0047
Total gate charge Qg[nC]
7.8
Power Dissipation (PD)[W]
25
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4509
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ (HSOP8)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100% Rg 及びアバランシェ耐量試験済
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