RS1E200BN
Nch 30V 68A パワーMOSFET
RS1E200BNは小型ハイパワーパッケージのスイッチング用途に適したミドルパワーMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
HSOP8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
68
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0038
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0038
Total gate charge Qg[nC]
29
Power Dissipation (PD)[W]
25
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4010
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
特長:
· 低オン抵抗· 小型ハイパワーパッケージ(HSOP8)で省スペース
· 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
· ハロゲンフリー
