RQ7E110AJ
Nch 30V 11A ミドルパワーMOSFET
RQ7E110AJは小型面実装パッケージで低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
TSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
11
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.0091
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0068
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0091
Total gate charge Qg[nC]
22
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型面実装パッケージ(TSMT8)で省スペース
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
