RQ3E180BN
Nch 30V 39A ミドルパワーMOSFET
RQ3E180BNはハイパワーパッケージ（HSMT8）で低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0037
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0037
Total gate charge Qg[nC]
37
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4003
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ（HSMT8）
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
