RQ3E150BN
Nch 30V 39A パワーMOSFET
RQ3E150BNはハイパワーパッケージ(HSMT8)のミドルパワーMOSFETです。
主な仕様
特性:
Package Code
HSMT8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0053
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0053
Total gate charge Qg[nC]
23
Power Dissipation (PD)[W]
17
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4013
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ(HSMT8)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
