RQ3E120GN
4.5V駆動タイプ Nch MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RQ3E120GNTB
供給状況 | 購入可能
パッケージ | HSMT8
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

HSMT8 (3.3x3.3)

推奨セット

Power Supply

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

27

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0091

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0067

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0091

ゲート総電荷量 Qg [nC]

4.8

許容損失 PD [W]

15

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

Bare Die/Wafer 品番

Available: K4503

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

3.3x3.3 (t=0.9)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ(HSMT8)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
  • X

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